日前，Vishay Intertechnology,Inc.（NYSE股市代號：VSH）宣布，推出3顆采用小尺寸PowerPAK®SO-8L封裝的N溝道器件---SiHJ8N60E、SiHJ6N65E和SiHJ7N65E，擴充其600V和650V E系列功率MOSFET。Vishay Siliconix 600VSiHJ8N60E和650VSiHJ6N65E、SiHJ7N65E更省空間，可替代TO-252(DPAK)封裝的MOSFET，具有高可靠性和小封裝電感，可用于照明、工業(yè)、電信、計算和消費應(yīng)用。
今天推出的MOSFET由Vishay Siliconix設(shè)計和開發(fā)，表面貼裝PowerPAK SO-8L封裝完全符合RoHS，無鹵素，無鉛。SiHJ8N60E、SiHJ6N65E和SiHJ7N65E的尺寸為5mm x 6mm，占板空間和高度只有TO-252(DPAK)封裝器件的一半。而且，與無引線DFN封裝的MOSFET相比，在整機設(shè)備的使用壽命內(nèi)碰到溫度循環(huán)情況時，PowerPAK SO-8L的鷗翼引線結(jié)構(gòu)能有效提高板級的可靠性。
SiHJ8N60E、SiHJ6N65E和SiHJ7N65E使用Vishay最新的高能效E系列超級結(jié)技術(shù)制造，在10V下的最大導(dǎo)通電阻只有0.52Ω，柵極電荷低至17nC，導(dǎo)通電阻與柵極電荷乘積更低，該參數(shù)是評價功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中MOSFET的優(yōu)值系數(shù)。在功率因數(shù)校正、反激、雙管正激轉(zhuǎn)換器，以及HID和LED照明、工業(yè)、電信、消費和計算類應(yīng)用的電源適配器等硬開關(guān)拓撲中，這些參數(shù)意味著MOSFET能實現(xiàn)極低的傳導(dǎo)和開關(guān)損耗，有效節(jié)約能源。
MOSFET可承受雪崩和換相模式中的高能脈沖，保證限值通過100%的UIS測試。
器件規(guī)格表：
|
產(chǎn)品編號
|
VDS(V)
|
VGS(V)
|
ID(A)@25°C
|
RDS(ON)()@10 V(最大值)
|
Qg(nC)@10 V
(典型值) |
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SiHJ8N60E
|
600
|
±30
|
8.0
|
0.520
|
22 |
|
SiHJ6N65E
|
650
|
±30
|
5.6
|
0.868
|
16 |
|
SiHJ7N65E
|
650
|
±30
|
7.9
|
0.598
|
22 |
SiHJ8N60E、SiHJ6N65E和SiHJ7N65E MOSFET現(xiàn)可提供樣品，并已實現(xiàn)量產(chǎn)，供貨周期為十六周。
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