美國(guó)加利福尼亞州圣何塞，2017年11月28日訊 – 中高壓逆變器應(yīng)用領(lǐng)域IGBT和MOSFET驅(qū)動(dòng)器技術(shù)的領(lǐng)導(dǎo)者Power Integrations（納斯達(dá)克股票代號(hào)：POWI）今日推出SCALE-iDriver™ IC家族最新成員SID1102K —— 采用寬體eSOP封裝的單通道隔離型IGBT和MOSFET門(mén)極驅(qū)動(dòng)器。新器件具有5 A峰值驅(qū)動(dòng)電流，在不使用推動(dòng)級(jí)的情況下可驅(qū)動(dòng)300 A開(kāi)關(guān)器件；可以使用外部推動(dòng)級(jí)以高性?xún)r(jià)比的方式將門(mén)極電流增大到60 A峰值。該器件可同時(shí)為下管和上管推動(dòng)級(jí)MOSFET開(kāi)關(guān)提供N溝道驅(qū)動(dòng)，從而降低系統(tǒng)成本、減小開(kāi)關(guān)損耗和增大輸出功率。
加強(qiáng)絕緣由Power Integrations創(chuàng)新的固體絕緣Fluxlink™技術(shù)提供，因此無(wú)需光耦器，可進(jìn)一步增強(qiáng)可靠性和穩(wěn)定性。SCALE-iDriver技術(shù)可減少BOM物料數(shù)，從而簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)和制造；使用一個(gè)SID1102K IC和僅八個(gè)外圍元件即可設(shè)計(jì)完整的驅(qū)動(dòng)器。該器件可提供系統(tǒng)級(jí)保護(hù)特性，包括欠壓保護(hù)、軌到軌穩(wěn)定輸出電壓（單一電源供電）、高共模瞬態(tài)抗擾性以及9.4 mm爬電距離和電氣間隙。
Power Integrations門(mén)極驅(qū)動(dòng)器產(chǎn)品高級(jí)市場(chǎng)總監(jiān)Michael Hornkamp表示：“新的SID1102K門(mén)極驅(qū)動(dòng)器IC能夠?yàn)樵O(shè)計(jì)者提供易于實(shí)施的可擴(kuò)展方案，并且在一個(gè)緊湊且堅(jiān)固的封裝內(nèi)集成了眾多重要的安全及保護(hù)特性，從而可縮短產(chǎn)品上市時(shí)間。”
主要應(yīng)用包括UPS、標(biāo)準(zhǔn)交流驅(qū)動(dòng)和變頻驅(qū)動(dòng)器(VFD)、光伏/太陽(yáng)能系統(tǒng)、商用空調(diào)、直流充電器和焊接設(shè)備。該器件現(xiàn)已開(kāi)始供貨，以10,000片為單位訂貨，單價(jià)為1.52美元。
