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從MiniLED到MicroLED,封裝形態(tài)、發(fā)光材料和驅(qū)動(dòng)IC怎樣變?

字體變大  字體變小 發(fā)布日期:2019-04-16  瀏覽次數(shù):1939
核心提示:以往我們關(guān)注MicroLED,視線往往繞不開巨量轉(zhuǎn)移這個(gè)老大難的話題,今天不如跳出芯片的束縛,站在LED微縮化的路徑上討論這個(gè)問題
    以往我們關(guān)注MicroLED,視線往往繞不開“巨量轉(zhuǎn)移”這個(gè)老大難的話題,今天不如跳出芯片的束縛,站在LED微縮化的路徑上討論這個(gè)問題,看一看從MiniLED到MicroLED,封裝形態(tài)、發(fā)光材料以及驅(qū)動(dòng)IC都將做出哪些適應(yīng)性的變化?畢竟,當(dāng)我們跨入MicroLED門檻,關(guān)鍵技術(shù)的變化將帶來整個(gè)供應(yīng)鏈重新洗牌,哪些會成為主流?哪些又會淡出我們的視野?跟隨行家目光一起洞察未來。

  從小間距到MicroLED,封裝產(chǎn)品形態(tài)會出現(xiàn)哪些變化?

  晶臺股份技術(shù)總監(jiān):邵鵬睿

  站在封裝的角度,我把LED顯示屏分為三個(gè)時(shí)代:小間距、Mini和Micro,不同的封裝時(shí)代LED顯示器件的產(chǎn)品形態(tài)不同。

  在小間距時(shí)顯示代,封裝器件有這幾種典型形態(tài):

  1. 單像素3合1分離器件SMD:1010為典型代表;

  2. 陣列式封裝分離器件AIP:Four in one為典型代表;

  3. 表面灌膠GOB:SMD常溫液態(tài)灌膠為典型代表;

  4. 集成封裝COB:常溫液態(tài)膠為典型代表。

  而到了MiniLED時(shí)代,產(chǎn)品形態(tài)主要有兩大類:多合一分離器件和集成封裝。

以SMT為典型代表就是多合一、分離器件;以物理模塊拼接為典型代表的就是集成封裝。集成封裝技術(shù)目前還存在著墨色和色彩一致性、良率、成本等問題,而0505分離器件已是SMD極限了,目前主要面臨著可靠性、SMT效率、推力等問題,在MiniLED時(shí)代或許已經(jīng)失去了技術(shù)主流。而到了MicroLED時(shí)代,毫無疑問將會是集成封裝,但問題的焦點(diǎn)則放在了芯片轉(zhuǎn)移上。

  至于預(yù)測LED顯示屏未來的技術(shù)趨勢,我認(rèn)為主要有這四點(diǎn):

  1. 封裝技術(shù)從點(diǎn)技術(shù)封裝向面技術(shù)封裝演變,面對LED微縮化,這將是減少制造工序、降低系統(tǒng)成本的道路。

  2. 從One in one、Four in one到N in one,封裝形態(tài)至繁歸簡。

  3. 從芯片尺寸和點(diǎn)間距上看,毫無懸念是從Mini LED 走向micro LED。

  4. 站在終端市場的角度,未來LED顯示屏?xí)䦶墓こ獭⒆赓U市場轉(zhuǎn)向商業(yè)顯示市場,從顯示“屏”走向顯示“器”的轉(zhuǎn)變。

  MiniLED、MicroLED時(shí)代,熒光粉怎么辦?

  有研稀土發(fā)光事業(yè)部主任:劉榮輝

MiniLED/MicroLED全芯片顯示普遍被業(yè)內(nèi)看好,但是其制造過程的巨量轉(zhuǎn)移、多色芯片控制和衰減度不一問題也非常突出,在上述問題尚未完全解決之前,開發(fā)藍(lán)色MiniLED/MicroLED激發(fā)的新型熒光粉,避免現(xiàn)有技術(shù)不足同時(shí)發(fā)揮其技術(shù)優(yōu)勢,也是業(yè)內(nèi)正在考慮的技術(shù)途徑。但必須要解決熒光粉小粒度化以及小粒度化后帶來的效率損失問題。

目前來看,MiniLED作為背光源依然適用于液晶產(chǎn)業(yè),但目前不具備成本優(yōu)勢。如今基于新型LED背光源的液晶顯示色域產(chǎn)業(yè)化水平已經(jīng)超過90%NTSC,有研稀土已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了窄帶氟化物的批量生產(chǎn)和廣泛應(yīng)用,在進(jìn)一步攻克新型的窄帶發(fā)射的紅色和綠色熒光粉及LED背光源,這有助于進(jìn)一步將液晶顯示色域提升至110%NTSC、媲美OLED/QLED技術(shù)。

此外,也許量子點(diǎn)發(fā)光材料也可以發(fā)揮作用。但量子點(diǎn)發(fā)光材料“看上去很美”,一直被給予厚望,然而其穩(wěn)定性問題、發(fā)光效率、環(huán)保問題、高應(yīng)用成本問題仍沒有得到很好解決。此外,光致發(fā)光量子點(diǎn)是過渡性的,量子點(diǎn)的真正應(yīng)用在QLED,目前有研稀土也已經(jīng)布局QLED用發(fā)光材料的開發(fā)。

  為什么說到了Mini和 MicroLED時(shí)代,原來的LED顯示器驅(qū)動(dòng)方式就不起作用了?

  柔浩電子總經(jīng)理:佘慶威

是的,當(dāng)LED顯示器進(jìn)入到MicroLED 和MiniLED的時(shí)候,無法使用傳統(tǒng)的LED顯示器驅(qū)動(dòng)方式。主要的原因是可用的位置問題,一般來說傳統(tǒng)的LED顯示器一顆驅(qū)動(dòng)IC最多可以驅(qū)動(dòng)600個(gè)像素,且因?yàn)長ED顯示器通常都是使用在120吋以上的面積,所以IC大小不會造成問題,但如果同樣的像素進(jìn)到Notebook或是手機(jī)的大小,同樣大小的IC及數(shù)量會放不進(jìn)去Notebook或是手機(jī)的裝置中,所以MicroLED和 MiniLED需要不同的驅(qū)動(dòng)方式。

一般顯示器的驅(qū)動(dòng)模式大致上可以分為兩類型,第一種類型為被動(dòng)式矩陣(Passive Matrix),通常被動(dòng)式的意思就是只有在被掃描到的像素有電流或電壓作用時(shí)才會有發(fā)光的現(xiàn)象,其余沒有被掃描到的時(shí)間則呈現(xiàn)不作動(dòng)的狀態(tài),由于這樣的方式在每一禎畫面轉(zhuǎn)換的時(shí)間內(nèi)只有作用了其中一列的時(shí)間,因此若要在單獨(dú)一個(gè)面板上達(dá)到高分辨率和高亮度的要求,則會非常難以達(dá)成,而且只要有其中一個(gè)像素有短路的問題很容易造成訊號的串?dāng)_。

另外也有設(shè)計(jì)是多一個(gè)晶體管做為開關(guān)來避免組件的問題造成訊號干擾,而無論哪一種方式都還是以被動(dòng)式的形式來做動(dòng),目前這樣驅(qū)動(dòng)方式由于電路設(shè)計(jì)上較為簡易,加上成本也較為低廉,因此大多使用于低分辨率的應(yīng)用領(lǐng)域,如運(yùn)動(dòng)型的穿戴手環(huán)。若有高解析面板的需求也可以使用多片低分辨率的模塊來做組合,如大型展示屏幕等。

驅(qū)動(dòng)模式的另一種類型為主動(dòng)式矩陣(Active Matrix),主動(dòng)式顧名思義就是它可以在一禎的畫面時(shí)間內(nèi)藉由畫素本身的儲存裝置持續(xù)地維持住現(xiàn)有的電壓或電流狀態(tài),而在儲存裝置設(shè)計(jì)上又可以再被分為兩種不同的模式,一種稱之為模擬式的調(diào)變驅(qū)動(dòng)方式(Analog Driving),其架構(gòu)通常是用類似DRAM 的方式來做設(shè)計(jì),而其大多是藉由調(diào)整實(shí)際的電流或電壓的大小來達(dá)成不同灰階變化,這樣的方式也普遍被使用在現(xiàn)有的LCD 及OLED 等顯示器上面,其像素的晶體管設(shè)計(jì)組成也通常是1T1C 或2T1C 等等電壓或電流源的驅(qū)動(dòng)架構(gòu)存在,由于是采用電容的方式來儲存,所以也存在著漏電及訊號串?dāng)_的問題,但比起被動(dòng)式的驅(qū)動(dòng)要小很多,模擬式的驅(qū)動(dòng)方式通常在高分辨率下還是存在著薄膜晶體管制程上及發(fā)光組件本身所造成的均勻度問題,因此也有如7T1C 或5T2C 等較為復(fù)雜的電流源架構(gòu)來解決其均勻度問題。

還有一種則稱之為數(shù)字式的調(diào)變驅(qū)動(dòng)(Digital Driving),其架構(gòu)是以SRAM 的方式來做設(shè)計(jì),其像素的設(shè)計(jì)是以6T 為基礎(chǔ)架構(gòu)來提供電壓或電流源,在這設(shè)計(jì)中由于沒有電容的因素,所以訊號串?dāng)_和漏電所造成畫質(zhì)不佳的問題較不易發(fā)生,其不同的灰度表現(xiàn)則是藉由快速的切換開關(guān)也就是0 與1 的變化來產(chǎn)生,這樣的數(shù)字式驅(qū)動(dòng)方法大多使用在微型顯示器中,其模式通?杀苊庠诟叻直媛实那闆r下因制程因素而造成晶體管本身的差異,進(jìn)而能維持一個(gè)較佳的整體均勻度表現(xiàn),這樣的驅(qū)動(dòng)也需要建立在可快速切換CMOS 變化的基材,例如擁有相比于a-Si TFT 或LTPS TFT 等有較高電子遷移率的硅基CMOS 背板電路。

微型顯示器大多是使用在投影的環(huán)境中,所以其面板的也多小于1寸也有一些是為了特殊需求而設(shè)計(jì)在1寸之間,主要也是考慮到硅晶圓的有效利用率,其面板的分辨率要求也至少是要qHD 甚至是FHD 或4K,PPI 的要求也都大于2000 到6000 以上,也就是說像素的尺寸都會小于10um 甚至5um,因此大多都是以硅半導(dǎo)體的制程參數(shù)來設(shè)計(jì)背板電路,才能達(dá)成高分辨率和高PPI 的要求,以達(dá)到在投影后的影像依然可維持一個(gè)良好的觀看效果,而當(dāng)像素尺寸小到一定程度及分辨率要求很高時(shí),也都會盡量采用數(shù)字驅(qū)動(dòng)的方式來設(shè)計(jì)以符合前述所提到的均勻度問題,在灰階調(diào)整上一般會使用脈沖寬度調(diào)制(PWM)來產(chǎn)生不同灰度。

PWM 的方式主要是使用分布在時(shí)間間隔上的脈沖段,透過改變開啟和關(guān)閉的持續(xù)時(shí)間來產(chǎn)生不同灰階變化,該技術(shù)也可以被稱為占空比調(diào)制。由于LED 是電流驅(qū)動(dòng)為主的組件,因此在Micro-LED 微型顯示器上的設(shè)計(jì)上也多都會搭配獨(dú)立固定電流源的設(shè)計(jì)方式在每個(gè)獨(dú)立的像素上來驅(qū)動(dòng),以達(dá)到亮度均勻及波長穩(wěn)定的要求,另外若是采用轉(zhuǎn)移獨(dú)立不同顏色Micro-LED 技術(shù)的話,則需要考慮到搭配不同RGB 的操作電壓,也因此也都必須在像素內(nèi)部中設(shè)計(jì)獨(dú)立的電壓供應(yīng)控制電路。

目前使用硅基背板電路的Micro-LED 微型顯示器已經(jīng)可以展現(xiàn)其各種優(yōu)異的特性,并且由于高亮度、耗電量低的優(yōu)點(diǎn)也可實(shí)現(xiàn)在增強(qiáng)現(xiàn)實(shí)(AR)、虛擬現(xiàn)實(shí)(VR)、微型投影機(jī)和抬頭顯示器(HUD)等產(chǎn)品上,也由于高均勻度的表現(xiàn)有機(jī)會成為于工業(yè)上使用的關(guān)鍵組件,如無光罩型的曝光機(jī),或者是3D 打印機(jī)等產(chǎn)品上,未來在亮度和功率上的提升后更可以使用于傳播訊號用的通訊組件(VLC)以及智能型車頭燈等的市場上。

 

 
關(guān)鍵詞: Mini LED MicroLED
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