2.5微米AMuLED顯示面板由JBD專有的混合集成技術(shù)制造。在混合集成工藝中，首先在MOCVD的襯底（例如藍(lán)寶石和GaAs）上生長(zhǎng)超薄InGaN（用于藍(lán)色和綠色）和AlInGaP（用于紅色）外延層。然后將完整的外延層片與襯底晶片分離，并在低于350℃的溫度下粘合到CMOS晶片上。這種晶圓級(jí)外延轉(zhuǎn)移消除了對(duì)準(zhǔn)鍵合的需要，并顯著提高了像素產(chǎn)量，均勻性和制造產(chǎn)量。

在外延層轉(zhuǎn)移之后，通過(guò)標(biāo)準(zhǔn)的光刻和蝕刻步驟將薄外延層薄片轉(zhuǎn)換成CMOS背板晶片上的發(fā)射器陣列。隨后通過(guò)光刻，鈍化和金屬化循環(huán)制作電接觸。 

將晶片切割成芯片之前，在單片晶片級(jí)刻度上的發(fā)射器上制造諸如微透鏡和反射器陣列的光學(xué)元件。為了實(shí)現(xiàn)所需的光準(zhǔn)直，發(fā)射器臺(tái)面直徑被設(shè)計(jì)為像素間距的三分之一左右。因此，對(duì)于2.5μm像素間距，發(fā)射器臺(tái)面直徑小于1微米，如圖1中的掃描電子顯微鏡圖像所示。

圖1：由JBD專有的混合集成技術(shù)制造的AMuLED顯示面板

除了推動(dòng)單色像素發(fā)射器尺寸的界限，該公司還在探索多色微顯示器面板。通過(guò)堆疊多片空白外延層和CMOS背板晶片來(lái)制造這些多色面板。在外延層堆疊之后是III-V /化合物半導(dǎo)體薄膜處理序列。在不使用對(duì)準(zhǔn)鍵合或拾取位置的情況下，可以實(shí)現(xiàn)期望的像素產(chǎn)率和均勻性。 

與DLP和LCOS相比，AMuLED顯示面板不需要照明光源。III-V /氮化物化合物半導(dǎo)體光的發(fā)射和CMOS的數(shù)字圖像控制集成在0.5mm厚的芯片中。這種混合集成顯著降低了VR或AR設(shè)備中光學(xué)系統(tǒng)的復(fù)雜性。此外，與OLED微發(fā)射器相比，化合物半導(dǎo)體發(fā)射器提供更高的光輸出強(qiáng)度。 

例如，JBD的2.5μm像素間距AMuLED顯示面板在625nm處提供100萬(wàn)cd·m -2，比OLED微顯示器性能高出幾個(gè)數(shù)量級(jí)。此外，AMuLED顯示面板無(wú)需任何移動(dòng)部件且不含有機(jī)材料，可在較寬的溫度范圍（-50℃至100℃）和惡劣的環(huán)境（振動(dòng)和紫外線輻射）下使用，具有高可靠性和長(zhǎng)壽命。