近日，臺灣交通大學郭浩中教授團隊為了解決目前微顯示發(fā)光二極管（Micro LED）三基色轉移的問題，發(fā)展出一種在單一芯片上利用量子史塔克效應（Quantum Stark Effect）與量子點噴涂技術形成RGB三原色的微顯示Micro LED技術，不但保證了亮度，也解決了紅光與綠光在制程與均勻度的問題，為未來Micro LED量產(chǎn)化找到了一個比較好的技術捷徑。在移動通信方面，5G將會是未來十年人類最重要的通信技術，毫米波的使用將促使基站與終端手機的射頻元器件要求越來越高，高線性度、高功率附加效率與高可靠度的要求都會促使新材料與新技術進一步的發(fā)展，氮化鎵（GaN）的高電子遷移率場效電晶體（HEMT）將會是未來最重要的器件，除了5G的應用，它更可以用在電力電子的功率半導體器件，可以提高能源使用效率，讓地球更美好。

在這兩個技術突破的過程中，原子層沉積ALD（Atomic Layer Deposition）技術扮演了非常重要的角色，尤其是對元器件的保護至關重要，ALD技術目前已經(jīng)廣泛使用在集成電路IC與光電產(chǎn)業(yè)，尤其是在關鍵的功能性納米膜層與芯片器件的保護膜層上。（此次ALD設備，主要與芬蘭的設備商Picosun公司合作）