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華為公司申請發(fā)光芯片及其制備方法、顯示模組、電子設備專利,用于提高小尺寸Micro LED的發(fā)光效率

字體變大  字體變小 發(fā)布日期:2024-05-13  瀏覽次數(shù):969
核心提示:2024年5月7日消息,據(jù)國家知識產(chǎn)權局公告,華為技術有限公司申請一項名為“發(fā)光芯片及其制備方法、顯示模組、電子設備“,公開號CN117995965A,申請日期為2022年10月。
 2024年5月7日消息,據(jù)國家知識產(chǎn)權局公告,華為技術有限公司申請一項名為“發(fā)光芯片及其制備方法、顯示模組、電子設備“,公開號CN117995965A,申請日期為2022年10月。

專利摘要顯示,本申請實施例提供一種發(fā)光芯片及其制備方法、顯示模組、電子設備,涉及顯示技術領域,用于提高小尺寸Micro LED的發(fā)光效率。發(fā)光芯片包括:層疊設置的第一電極、第一半導體層、發(fā)光層、第二半導體層以及第二電極。其中,第一半導體層和第二半導體層中一個為N型半導體層,另一個為P型半導體層。第一電極的至少部分邊緣相比于第一半導體層的邊緣內(nèi)縮。

本文源自:金融界

 
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