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基于數(shù)值模擬的LED鍵合線熱應(yīng)力分析

字體變大  字體變小 發(fā)布日期:2016-11-05  來(lái)源:搜搜LED  作者:深圳市瑞豐光電子股份有限公司研發(fā)部裴小明/張麗君/游志  瀏覽次數(shù):2137
核心提示:本文針對(duì)這一問(wèn)題,通過(guò)有限元數(shù)值分析,通過(guò)加載周期性的溫度載荷模擬 LED鍵合線在冷熱沖擊下受到的熱載荷,分析了LED鍵合線在該熱載荷條件下的應(yīng)力分布情況,并探討了不同引線線弧模式對(duì)鍵合線熱應(yīng)力的影響,為L(zhǎng)ED引線鍵合的工藝優(yōu)化提供了參考。
 

摘要:LED(Light-Emitting-Diode )以其高光效、低功耗的綠色節(jié)能優(yōu)越性,成為新時(shí)期下的主流光源。目前LED主要依賴于引線鍵合(Wire-Bonding)的方式將芯片電極與基板互連實(shí)現(xiàn)電氣連接,而鍵合線往往在冷熱沖擊試驗(yàn)過(guò)程中出現(xiàn)斷裂問(wèn)題,導(dǎo)致LED死燈失效,嚴(yán)重影響了LED的可靠性。本文針對(duì)這一問(wèn)題,通過(guò)有限元數(shù)值分析,通過(guò)加載周期性的溫度載荷模擬LED鍵合線在冷熱沖擊下受到的熱載荷,分析了LED鍵合線在該熱載荷條件下的應(yīng)力分布情況,并探討了不同引線線弧模式對(duì)鍵合線熱應(yīng)力的影響,為L(zhǎng)ED引線鍵合的工藝優(yōu)化提供了參考。

 關(guān)鍵詞:LED;引線鍵合;冷熱沖擊;熱應(yīng)力;數(shù)值模擬

0 序言

LED是一種直接將電能轉(zhuǎn)化為光能的半導(dǎo)體光源,具有節(jié)能、環(huán)保、安全、壽命長(zhǎng)、低功耗等特點(diǎn),廣泛應(yīng)用于指示、顯示、裝飾、背光源、普通照明等領(lǐng)域[1]。其芯片與基板之間通常采用引線鍵合進(jìn)行電氣連接,即通過(guò)熱、壓力、超聲波等能量使金屬引線與被焊焊盤發(fā)生原子間擴(kuò)散互溶,實(shí)現(xiàn)芯片電極-鍵合線-基板彼此之間的鍵合連接。

在LED的生產(chǎn)制造中,為了解、評(píng)價(jià)、分析和提高LED的環(huán)境適應(yīng)性,常對(duì)LED進(jìn)行相關(guān)可靠性試驗(yàn)[2],冷熱沖擊試驗(yàn)即為其中一種。該實(shí)驗(yàn)通過(guò)對(duì)LED施加周期性瞬變的冷熱溫度循環(huán),試驗(yàn)其所能承受的因熱脹冷縮所引起的化學(xué)變化或物理傷害。在該試驗(yàn)中,LED鍵合線常成為其中的薄弱部位,其在試驗(yàn)中的斷線與否對(duì)LED可靠性起著關(guān)鍵性作用。

為了了解LED鍵合線在冷熱沖擊試驗(yàn)下的斷裂機(jī)理,本文從材料的熱應(yīng)力基礎(chǔ)理論出發(fā),構(gòu)建冷熱沖擊條件下的LED鍵合線模型,并通過(guò)有限元數(shù)值模擬對(duì)鍵合線的熱應(yīng)力進(jìn)行計(jì)算分析,進(jìn)而確認(rèn)鍵合線熱應(yīng)力分布情況及影響熱應(yīng)力的相關(guān)參數(shù)。

1 熱應(yīng)力基礎(chǔ)理論

熱應(yīng)力又稱溫變應(yīng)力。產(chǎn)生熱應(yīng)力的必要條件是存在溫差,當(dāng)溫差引起的結(jié)構(gòu)形變受到約束時(shí)即可產(chǎn)生熱應(yīng)力。約束有三種形式,即外部剛性約束、內(nèi)部各部分之間變形約束以及不同材料之間的相互變形約束。對(duì)于LED而言,冷熱沖擊條件下,LED受到周期性的熱脹冷縮,各材料之間熱膨脹系數(shù)不同又相互約束,因此在各材料界面,極易產(chǎn)生應(yīng)力集中。

 

根據(jù)線性熱應(yīng)力理論,微元體的總應(yīng)變由兩部分組成:一部分由溫度變化引起,另一部分由應(yīng)力引起,即:   

 

     根據(jù)傳熱學(xué)原理,一維等截面桿由溫度產(chǎn)生的結(jié)構(gòu)形變(即熱應(yīng)變)為: 

 

其中,-材料線膨脹系數(shù),-溫差,-一維方向初始長(zhǎng)度,-長(zhǎng)度變化。

對(duì)于各向同性的三維結(jié)構(gòu),以上應(yīng)變?cè)诟鱾(gè)方向均相同,但并不產(chǎn)生剪應(yīng)變,即存在: 

 因此,平面結(jié)構(gòu)(即 =0時(shí))的熱應(yīng)變?yōu)椋?br />  

而彈性應(yīng)變是由應(yīng)力引起的:

所以在存在熱應(yīng)變的情況下,結(jié)構(gòu)物理方程為:

式中,[D] -計(jì)算平面應(yīng)力問(wèn)題的彈性矩陣, [B]-應(yīng)變矩陣。根據(jù)彈性力學(xué)公式:

寫成矩陣形式寫成:

這里的  是平面應(yīng)力問(wèn)題中的單元?jiǎng)偠染仃嚭凸?jié)點(diǎn)力矩陣。

熱力理論

 式中 是由于溫度變化而增加的單元變溫等效節(jié)點(diǎn)載荷矩陣。

通過(guò)求解溫度方程求出各個(gè)節(jié)點(diǎn)的溫度值以后,就可以求出溫度載荷,式中單元的溫升可以取各個(gè)節(jié)點(diǎn)的溫升的平均值 ,即:
    

式中 —計(jì)算出的節(jié)點(diǎn)溫度;

—結(jié)構(gòu)的初始溫度將求解域中所有單元的變溫等效節(jié)點(diǎn)載荷疊加后,形成整個(gè)結(jié)構(gòu)的溫度載荷陣列,即:

最后,將得到的溫度變化 視為一種溫度載荷,并形成溫度載荷列陣后,就可以按與靜力分析相同的方法求解熱變形,則求解熱變形的剛度方程為:

 解上式可以求出結(jié)構(gòu)的熱變形 ,進(jìn)而能求出相應(yīng)的熱應(yīng)力。

在冷熱沖擊過(guò)程中,由于LED封裝體各部分組件材料的熱膨脹系數(shù)不同,將產(chǎn)生周期性的膨脹與收縮。鍵合線會(huì)受到不同程度的剪切和拉伸,在鍵合線三維結(jié)構(gòu)中應(yīng)力呈多軸狀態(tài)分布,因而在分析鍵合線在冷熱沖擊溫度循環(huán)條件下的力學(xué)行為時(shí),采用表示綜合應(yīng)力強(qiáng)度的等效應(yīng)力來(lái)描述鍵合線的應(yīng)力分布狀態(tài)。

基于第四強(qiáng)度理論 Von Mises準(zhǔn)則,等效應(yīng)力用應(yīng)力張量的分量表示為:

式中 —等效應(yīng)力(Pa);

—X 方向正應(yīng)力(Pa);

—Y 方向正應(yīng)力(Pa);

—Z 方向正應(yīng)力(Pa);

—垂直于 X 軸平面的 Y 方向剪應(yīng)力(Pa);

—垂直于 Y 軸平面的 Z 方向剪應(yīng)力(Pa);

—垂直于 X 軸平面的 Z 方向剪應(yīng)力(Pa)

由上述分析可知,對(duì)于LED而言,環(huán)境溫度溫差越大、封裝材料之間的熱膨脹系數(shù)相差越大、材料的彈性模量越大,LED受到熱應(yīng)力越大,隨著時(shí)間增加,材料界面應(yīng)力集中容易產(chǎn)生疲勞斷裂。

       當(dāng)賦予LED各封裝材料以熱力學(xué)屬性,施加材料的熱邊界條件,即可由以上各公式對(duì)LED三維模型的等效熱應(yīng)力進(jìn)行分析求解,便可得出熱載荷條件下LED各封裝材料各位置的等效應(yīng)力情況。其中,分析求解過(guò)程可通過(guò)有限元數(shù)值模擬求解實(shí)現(xiàn)[3-5]。

2  有限元數(shù)值模擬分析

2.1 有限元模型建立

 本文首先針對(duì)實(shí)際使用的小電極LED器件模型進(jìn)行了三維幾何構(gòu)建,如圖1所示。其中鍵合線由芯片電極植球引出,向支架焊盤處實(shí)現(xiàn)楔形鍵合。芯片、支架、鍵合線、封裝膠一一裝配約束。

    

(a)LED器件幾何模型(b)LED鍵合線幾何模型 

圖1 LED三維幾何模型

LED器件模型中的主要材料熱力學(xué)特性參數(shù)如表1所示,包括密度ρ、熱膨脹系數(shù)α、彈性模量E、泊松比ν和傳熱系數(shù)K。

 表1 材料特性參數(shù)

 

 為了求解LED三維模型的熱應(yīng)力,特別是LED鍵合線的熱應(yīng)力分布,對(duì)封裝結(jié)構(gòu)進(jìn)行了有限元網(wǎng)格劃分,其中芯片及電極等細(xì)微結(jié)構(gòu)部分進(jìn)行精細(xì)化分,如圖2所示。

大圖1

圖2LED三維有限元模型

 以冷熱沖擊試驗(yàn)條件對(duì)LED有限元模型施加溫度載荷,如圖3所示。高低溫溫度區(qū)間為(-40℃-100℃),保溫時(shí)間為30min,升/降溫時(shí)間為10s,零應(yīng)力參考溫度為25℃。

大圖2

圖3 LED有限元模型溫度載荷

 對(duì)LED有限元模型中心施以剛性約束,其余部分可自由發(fā)生形變。
     
       2.2LED鍵合線熱應(yīng)力分析

從有限元數(shù)值分析結(jié)果來(lái)看,對(duì)于小電極LED,在冷熱沖擊試驗(yàn)條件下,LED各封裝材料發(fā)生周期性地膨脹與收縮。當(dāng)溫度下降至﹣40℃時(shí), LED各材料發(fā)生收縮變形,由于封裝膠熱膨脹系數(shù)明顯大于金線,因此鍵合線受到封裝膠收縮產(chǎn)生的向內(nèi)壓應(yīng)力,如圖4所示,鍵合線線弧呈向內(nèi)傾倒趨勢(shì)。

大圖3

 

圖4 -40℃LED鍵合線壓縮變形圖

鍵合線線弧內(nèi)側(cè)最大壓應(yīng)力位于直線段與線弧段的過(guò)渡拐點(diǎn),外側(cè)最大壓應(yīng)力位于直線段與焊球之間的鍵合點(diǎn),線弧外側(cè)受到的壓應(yīng)力大于線弧內(nèi)側(cè)受到的壓應(yīng)力,如圖5所示。

壓應(yīng)力5所示   壓應(yīng)力5所示0


壓應(yīng)力5所示00

(a)線弧內(nèi)側(cè)(b)線弧外側(cè)

圖5 -40℃鍵合線線弧壓應(yīng)力分布圖

當(dāng)溫度上升至100℃時(shí), LED各材料發(fā)生膨脹變形,同樣由于膠體的膨脹變形較大,對(duì)鍵合線造成向外的拉伸應(yīng)力,如圖6所示,鍵合線向外側(cè)傾倒。

壓應(yīng)力6所示

圖6  100℃LED鍵合線拉伸變形圖

鍵合線線弧內(nèi)側(cè)最大拉應(yīng)力位于直線段與線弧段的過(guò)渡拐點(diǎn),外側(cè)最大拉應(yīng)力位于直線段與焊球之間的鍵合點(diǎn),線弧外側(cè)受到的拉應(yīng)力大于線弧內(nèi)側(cè)受到的拉應(yīng)力,如圖7所示。

如圖7     如圖70
如圖7000

(a)線弧內(nèi)側(cè)(b)線弧外側(cè)

圖7  100℃鍵合線線弧拉應(yīng)力分布圖

 總體而言,冷熱沖擊過(guò)程中金屬線的最大熱應(yīng)力如表2所示?梢钥吹剑

       LED鍵合線在100℃高溫段受到的熱應(yīng)力最大,應(yīng)力最大點(diǎn)位于線弧直線段與焊球之間的鍵合點(diǎn)。

表2冷熱沖擊過(guò)程金屬線最大熱應(yīng)力表

QQ截圖20161105154739 

為了進(jìn)一步分析該鍵合點(diǎn)應(yīng)力最大的原因,我們將鍵合線拆分為以下幾個(gè)關(guān)鍵位置點(diǎn):金屬球與小電極的鍵合點(diǎn)(A點(diǎn))、直線與金屬球過(guò)渡點(diǎn)(B點(diǎn))、線弧任一位置(C點(diǎn))、弧線與魚尾過(guò)渡點(diǎn)(D點(diǎn))、魚尾與支架鍵合點(diǎn)(E點(diǎn)),如圖8所示。以各點(diǎn)所在界面為分界面,通過(guò)分析界面處應(yīng)力情況及界面兩側(cè)部件受力情況,對(duì)界面處的綜合受力情況進(jìn)行分析。

大圖4

圖8鍵合線關(guān)鍵位置點(diǎn)示意圖

 對(duì)各點(diǎn)受溫度變化產(chǎn)生的熱應(yīng)力進(jìn)行逐一比較:A點(diǎn)所在界面為芯片電極、金屬球界面。如表1所示,界面處兩種材料的熱膨脹系數(shù)差微小,即可同時(shí)進(jìn)行收縮膨脹,應(yīng)力較小。另A界面的金球一側(cè)同時(shí)受到來(lái)自膠體收縮膨脹的切向力,但由于:

       A界面面積較大且為剛性連接面,因此在應(yīng)力牽扯下應(yīng)變小,不易斷裂。

B點(diǎn)所處界面為小直徑金屬線、大直徑金屬球界面。當(dāng)外部環(huán)境發(fā)生溫度變化,界面兩側(cè)材料相同,熱膨脹系數(shù)相同,因此應(yīng)力主要來(lái)源于膠體。相比于A界面,B點(diǎn)界面要小的多,極易出現(xiàn)應(yīng)力集中尖角,產(chǎn)生極大熱應(yīng)力,冷熱反復(fù)下出現(xiàn)疲勞斷裂。

C點(diǎn)界面為金屬線與金屬線界面,由于界面處及界面兩側(cè)空間受力完全一致,且其界面為撓性接觸面,金屬線不論沿徑向還是法向都可與封裝膠同步發(fā)生伸縮形變,因此相對(duì)A、B點(diǎn)應(yīng)力要顯著減小。

D點(diǎn)界面為金屬線、魚尾界面,其中金屬線與魚尾部分為剛性連接,且界面面積小,同B點(diǎn)類似,也是應(yīng)力尖角位置。在小電極LED中,D點(diǎn)金屬線平滑過(guò)渡到魚尾,金屬線與魚尾之間的面積差相對(duì)較小,因此D點(diǎn)的應(yīng)力要次于B點(diǎn)的應(yīng)力,這從圖5(b)、圖7(b)中也可以看出。

E點(diǎn)界面與A點(diǎn)類似,為魚尾、支架焊盤與封裝膠的三界面,雖然魚尾與支架焊盤存在剛性連接,但界面面積大,受溫度變化產(chǎn)生的熱應(yīng)力相對(duì)較小。

綜合來(lái)看,在冷熱沖擊過(guò)程中,鍵合線B點(diǎn)受到的熱應(yīng)力最大,D點(diǎn)次之,C點(diǎn)再次之,A、E兩點(diǎn)受到的熱應(yīng)力最小。

2.3不同引線線弧模式對(duì)熱應(yīng)力的影響

鍵合線線弧通常由直線段和弧線段組成,而不同直線段長(zhǎng)度與弧線段高度組成了不同的線弧模式。為了分析不同引線線弧模式對(duì)鍵合線的熱應(yīng)力影響,以冷熱沖擊下的最大等效熱應(yīng)力作為依據(jù),通過(guò)有限元數(shù)值模擬,針對(duì)不同直線長(zhǎng)度和弧線高度作正交計(jì)算對(duì)比,得到了小電極LED不同引線線弧模式下的最大熱應(yīng)力,如表3所示,以直線長(zhǎng)度100mm,弧線高度160mm線弧最大應(yīng)力值為基準(zhǔn)進(jìn)行歸一化處理。

表3不同引線線弧模式下的鍵合線相對(duì)熱應(yīng)力對(duì)比表

更直觀地,從圖9中可以看到:存在直線段時(shí),同直線長(zhǎng)度條件下,隨著弧高的增加,鍵合線熱應(yīng)力先減小后增大,因此弧線高度存在一最佳值。無(wú)直線段時(shí),隨著弧高的增加,鍵合線的熱應(yīng)力增加。

如圖9

圖9同直線長(zhǎng)度不同弧高的鍵合線熱應(yīng)力
 

   從圖10中可以看到:同弧高條件下,隨著直線長(zhǎng)度的增加,鍵合線熱應(yīng)力先增大后減小。然而在實(shí)際制程中,離鍵合位置較近的材料受高溫、超聲等影響會(huì)發(fā)生脆化,在較小應(yīng)力的條件下同樣會(huì)發(fā)生斷裂,因此需一定長(zhǎng)度的直線段進(jìn)行保護(hù)。

圖10同弧高不同直線長(zhǎng)度的鍵合線熱應(yīng)力
 

綜合來(lái)看,不同直線長(zhǎng)度和弧線段高度所組成的不同引線線弧模式對(duì)LED鍵合線在冷熱沖擊下所承受的熱應(yīng)力存在影響。匹配優(yōu)化直線長(zhǎng)度和弧線高度,可以有效減小LED鍵合線熱應(yīng)力,減小鍵合點(diǎn)位置因長(zhǎng)期應(yīng)力集中造成的疲勞斷裂,提高鍵合線熱穩(wěn)定性,進(jìn)而提高LED的產(chǎn)品可靠性。
 

3 結(jié)論

本文從材料的熱應(yīng)力基礎(chǔ)理論出發(fā),針對(duì)冷熱沖擊下的小電極LED鍵合線熱應(yīng)力分布做了數(shù)值模擬分析。結(jié)論如下:

(1)由熱應(yīng)力基礎(chǔ)理論模型來(lái)看,溫差越大、材料的熱膨脹系數(shù)相差越大、材料的彈性模量越大,LED材料受到熱應(yīng)力越大,隨著時(shí)間增加,材料界面應(yīng)力集中容易產(chǎn)生疲勞斷裂,因此在LED封裝中應(yīng)著重考慮各封裝材料之間的材料匹配性。

(2)冷熱沖擊下,LED引線周期性地受到收縮壓應(yīng)力和膨脹拉應(yīng)力。對(duì)于小電極LED而言,最大應(yīng)力出現(xiàn)在高溫時(shí)鍵合線與焊球之間的過(guò)渡位置。

(3)不同引線線弧模式對(duì)LED鍵合線的熱應(yīng)力存在影響;對(duì)于小電極LED而言,當(dāng)直線段較短時(shí),隨著弧高的增大,熱應(yīng)力逐漸增大;當(dāng)直線段較長(zhǎng)時(shí),隨著弧高的增大,熱應(yīng)力先減小后增大。當(dāng)弧高一定時(shí),隨著直線段的增高,熱應(yīng)力先增大后減小,但由于鍵合點(diǎn)附近材料易脆化,因此需綜合考慮以上因素選取最佳直線段長(zhǎng)度。

參考文獻(xiàn)

 [1]. 雷玉堂,黎慧未來(lái)的照明光源—白光LED技術(shù)及其發(fā)展[J]光學(xué)與光電技術(shù), 2003, 1(5):33-34

 [2].  P Wong,P Albrecht,R Allan,R Billinton et al. The IEEE Reliability Test System-1996. A report prepared by the Reliability Test System Task Force of the Application of Probability Methods Subcommittee[C] Power Systems IEEE Transactions on, 1999, 14(3):1010-1020

 [3]. 李景涌. 有限元法[M]. 北京:機(jī)械工業(yè)出版社,1998:5

 [4].  ZX Hu,YP Wen,WG Zhao et al. Numerical Simulation of Lightning Location based on Monte Carlo Method[C] International Conference on Management & Service Science2009, 32:1-4

 [5]. 朱旭平,余桂英.功率型LED瞬態(tài)溫度場(chǎng)及熱應(yīng)力分布的研究 [J]光電工程, 2011, 38(2):132-137

 




















 

 

 
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