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江西耀馳申請Mini-LED芯片及其制備方法專利,提升Mini-LED芯片的光效

字體變大  字體變小 發(fā)布日期:2024-10-23  瀏覽次數(shù):777
核心提示:金融界2024年10月22日消息,國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示,江西耀馳科技有限公司申請一項(xiàng)名為“Mini-LED芯片及其制備方法”的專利,公開號CN 118763158 A,申請日期為2024年9月。

金融界2024年10月22日消息,國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示,江西耀馳科技有限公司申請一項(xiàng)名為“Mini-LED芯片及其制備方法”的專利,公開號CN 118763158 A,申請日期為2024年9月。

專利摘要顯示,本發(fā)明公開了一種MiniLED芯片及其制備方法,涉及半導(dǎo)體光電器件領(lǐng)域。制備方法包括以下步驟:S1、提供外延片,其包括多個預(yù)設(shè)區(qū)域;S2、形成鍵合層;S3、與第二襯底鍵合;S4、形成第一通孔;第一通孔遠(yuǎn)離預(yù)設(shè)區(qū)域的邊緣設(shè)置,其側(cè)壁呈傾斜狀;S5、形成第一接觸層;第一接觸層覆蓋第一通孔的底部及預(yù)設(shè)長度的側(cè)壁,其僅與P型半導(dǎo)體層形成歐姆接觸;S6、形成第二接觸層,得到中間體;S7、在中間體上形成DBR層,并在第一接觸層和第二接觸層所在區(qū)域刻蝕形成第二通孔和第三通孔;S8、形成N電極和P電極,得到LED晶圓;S9、將LED晶圓切割,得到MiniLED芯片。實(shí)施本發(fā)明,可提升MiniLED芯片的光效。

本文源自:金融界

 
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