由于LED照明爆發(fā)性的增長(zhǎng)需求，直接帶動(dòng)MOCVD需求量的增加。
根據(jù)對(duì)全球主要MOCVD供應(yīng)商的出貨量和我國(guó)近年新安裝MOCVD的數(shù)量對(duì)比，可以看出，近年來(lái)我國(guó)半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)對(duì)MOCVD的需求量一直占全球需求量的60%以上，是全球需求量最高的地區(qū)。筆者預(yù)計(jì)，2014年我國(guó)新增MOCVD數(shù)量將在150臺(tái)左右，總數(shù)將達(dá)到1240臺(tái)。到2015年LED照明市場(chǎng)滲透率將從目前的不足9%迅速上升到30%。
然而，中國(guó)MOCVD設(shè)備市場(chǎng)的火熱，也預(yù)示著其中競(jìng)爭(zhēng)程度也在暗中生長(zhǎng)。
來(lái)自德國(guó)愛(ài)思強(qiáng)股份有限公司的總裁兼CEO Martin Goetzeler先生表示：“我們會(huì)全力支持中國(guó)市場(chǎng)客戶(hù)，相信會(huì)有更好的未來(lái)。非常榮幸的邀請(qǐng)到我們的客戶(hù)和伙伴來(lái)現(xiàn)場(chǎng)講解和分享應(yīng)用經(jīng)驗(yàn)。我們希望我們?cè)贚ED大規(guī)模制造環(huán)境下的革命性產(chǎn)品能更好的服務(wù)于客戶(hù)更好的大規(guī)模生產(chǎn)。”
隨后，德國(guó)愛(ài)思強(qiáng)股份有限公司首席技術(shù)官Andreas Toennis先生緊接著對(duì)AIXTRON面對(duì)激烈競(jìng)爭(zhēng)的LED大規(guī)模制造環(huán)境下的革命性產(chǎn)品進(jìn)行了詳細(xì)介紹。
AndreasToennis先生表示，LED芯片和封裝市場(chǎng)經(jīng)歷了多年的供給過(guò)剩，同時(shí)，LED中短波用戶(hù)認(rèn)識(shí)到了LED在普通照明方面的潛力，推動(dòng)LED照明產(chǎn)品的加速采用。每流明成本的降低還是LED滲透率最重要的推動(dòng)力。最新的市場(chǎng)報(bào)告顯示在2015年和2016年LED芯片共計(jì)缺口還在增加。在激烈競(jìng)爭(zhēng)的LED大規(guī)模生產(chǎn)市場(chǎng)，生產(chǎn)商需要在降低成本并提高LED的性能，同時(shí)滿(mǎn)足整個(gè)市場(chǎng)產(chǎn)能方面的需求。
“因?yàn)橥庋颖∧さ纳L(zhǎng)代表了芯片制造過(guò)程中最關(guān)鍵的技術(shù)，MOCVD大規(guī)模生產(chǎn)設(shè)備的性能具有戰(zhàn)略性的重要性。產(chǎn)能、良率和擁有成本CoO是在競(jìng)爭(zhēng)中勝出的關(guān)鍵因素。AIXTRON愛(ài)思強(qiáng)MOCVD技術(shù)研發(fā)路線圖反映了這些市場(chǎng)需求的重要性。在和客戶(hù)緊密合作的條件下，AIXTRON定義了能夠讓MOCVD用戶(hù)來(lái)成功塑造將來(lái)市場(chǎng)的各關(guān)鍵因素。在本次報(bào)告中，AIXTRON愛(ài)思強(qiáng)首席技術(shù)官還詳細(xì)介紹改善生產(chǎn)經(jīng)濟(jì)效益和確保AIXTRON愛(ài)思強(qiáng)客戶(hù)更大的成功的快速而有效的路徑。”Andreas Toennis先生表示。
隨后，來(lái)自廣東德豪潤(rùn)達(dá)電氣股份有限公司執(zhí)行副總裁兼芯片事業(yè)部總經(jīng)理武良文博士作了題為“基于CRIUS II-XL平臺(tái)的4英寸大規(guī)模生產(chǎn)技術(shù)”的專(zhuān)題報(bào)告。該報(bào)告首先對(duì)LED照明市場(chǎng)及發(fā)展趨勢(shì)進(jìn)行簡(jiǎn)單介紹。武良文表示，目前在大規(guī)模生產(chǎn)情況下如何降低單位流明的成本是贏得市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)的關(guān)鍵，預(yù)計(jì)2015年的新增產(chǎn)能也將以四寸為主。同時(shí)，他隨后還詳細(xì)闡述了利用CRIUS？II-XL平臺(tái)進(jìn)行4英寸大規(guī)模生產(chǎn)的技的優(yōu)勢(shì)，與在場(chǎng)的嘉賓及媒體朋友進(jìn)行了深入交流。
緊接著，三安光電股份有限公司總經(jīng)理助理吳超瑜先生也對(duì)“基于AIXTRONG4-TM機(jī)臺(tái)的四元產(chǎn)品穩(wěn)定量產(chǎn)”進(jìn)行了詳細(xì)闡述。
吳超瑜表示，“三安光電生產(chǎn)各種四元產(chǎn)品，其亮度在市場(chǎng)上極具競(jìng)爭(zhēng)力。并且，運(yùn)用G4TM生產(chǎn)的LED產(chǎn)品的光電性能和各種維護(hù)條件下的機(jī)臺(tái)重復(fù)性，并與其前一代產(chǎn)品G3進(jìn)行對(duì)比，G4TM的維護(hù)周期短、系統(tǒng)恢復(fù)快等特點(diǎn)；4寸效益明顯，單片成本更優(yōu)。G4機(jī)臺(tái)可以實(shí)現(xiàn)超高亮度LED的穩(wěn)定量產(chǎn)。通過(guò)優(yōu)化結(jié)構(gòu)和機(jī)臺(tái)氣流后，可以實(shí)現(xiàn)超高亮度的穩(wěn)定生產(chǎn)；適當(dāng)調(diào)快生長(zhǎng)速率后仍然保持良好性能；TM和bake爐的合理搭配可以提升機(jī)臺(tái)的穩(wěn)定性。”
同時(shí)，Laytec AG市場(chǎng)銷(xiāo)售總監(jiān)Tom Thieme先生以題為“通過(guò)原位監(jiān)測(cè)技術(shù)降低生產(chǎn)成本”的技術(shù)報(bào)告也引起現(xiàn)場(chǎng)嘉賓的極大關(guān)注。Tom Thieme表示，“由于對(duì)波長(zhǎng)均勻性和產(chǎn)品結(jié)果重復(fù)性更嚴(yán)格的控制要求，基于氮化鎵的器件結(jié)構(gòu)，例如，高亮度發(fā)光二極管和紫外發(fā)光二極管的金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積生產(chǎn)變得更加苛刻。為了滿(mǎn)足發(fā)光二極管在優(yōu)化產(chǎn)品良率及降低生產(chǎn)成本方面的目標(biāo)，先進(jìn)的原位測(cè)量和工藝控制降低了外延芯片的經(jīng)營(yíng)成本。我們會(huì)皆是緣為測(cè)量是如何通過(guò)更精密以及更可靠的工藝控制來(lái)實(shí)現(xiàn)改進(jìn)改進(jìn)發(fā)光二極管器件產(chǎn)品這一工業(yè)目標(biāo)。”
Tom Thieme先生還表示，在與MOCVD設(shè)備制造商AIXTRON以及發(fā)光二極管眾多的制造商AIXTRON以及發(fā)光二極管眾多的制造商的攻防統(tǒng)合作下，一個(gè)獨(dú)一無(wú)二的模塊化的原位平臺(tái)被建立起來(lái)，來(lái)滿(mǎn)足客戶(hù)的需求。我們強(qiáng)烈關(guān)注的是使用已被證明的原位檢測(cè)系統(tǒng)的優(yōu)勢(shì)，例如，對(duì)外延層溫度，所有生長(zhǎng)材料的反射率以及先進(jìn)曲率的精確可靠的檢測(cè)，以及把這些已知的優(yōu)勢(shì)擴(kuò)展到工藝控制環(huán)境中。同時(shí)，在這次研討會(huì)上，愛(ài)思強(qiáng)還展示了該工藝控制平臺(tái)是如何來(lái)顯著降低經(jīng)營(yíng)成本以及增加外延良率的。
據(jù)記者了解，目前在大功率應(yīng)用方面，功率分布以及電子遷移方面，氮化鎵已經(jīng)引起了人們的興趣。為了加強(qiáng)這些應(yīng)用在市場(chǎng)中的位置以及使他們可以商業(yè)化，先決條件是高電子遷移率晶體管的低成本生產(chǎn)。降低器件成本的其中一個(gè)因素就是增大襯底尺寸時(shí)材料生長(zhǎng)的均勻性和電性能的良率。此外，采用硅襯底來(lái)生長(zhǎng)外延材料也能使這些器件的成本降低，因?yàn)楣枰r底更加便宜，而且有較大的尺寸，還可以跟硅半導(dǎo)體的后段工藝線保持一致性。
為此，德國(guó)愛(ài)思強(qiáng)股份有限公司研發(fā)副總裁Michael Heuken教授也以“作為功率電子器件必備方案的行星式反應(yīng)器MOCVD技術(shù)”報(bào)告壓軸出場(chǎng)，與在場(chǎng)各位嘉賓及企業(yè)代表共通過(guò)分享了行星反應(yīng)器MOCVD技術(shù)給企業(yè)帶來(lái)的新視角。
Michael Heuken教授表示，為了滿(mǎn)足這些需求，我們創(chuàng)建了可以放8片6寸片子的AIXG5高溫行星式反應(yīng)式設(shè)備。并且，為了評(píng)估該反應(yīng)室的性能，我們建立了在高硅襯底上高電子遷移率晶體結(jié)構(gòu)的基準(zhǔn)。最終晶體管被生產(chǎn)出來(lái)，性能也被表征了。與此同時(shí)，目前我們我們得到了高擊穿電壓和高漏電流密度的晶體管，這些晶體管也顯示了非常好的價(jià)值性能，使大功率器件能量有很低的損失。我們依據(jù)在可以生長(zhǎng)5片200毫米襯底的AIXG+行星式金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積反應(yīng)室上的實(shí)驗(yàn)結(jié)果解釋并討論額外的結(jié)果，以及一種更大尺寸襯底的轉(zhuǎn)移策略。
